8元マグネトロン
スパッタ装置（IB館）
本装置は，8つの2inchターゲットを備えており，非常に複雑な膜構成のトンネル磁気抵抗効果膜やスピンバルブ膜などを一度に作製することができます．
装置仕様
研究室の自作
到達真空度：1×10-7 Pa
2インチターゲット8台
高周波電源 2台
基板加熱機構（800 ˚C）
Arイオン銃による基板クリーニング機構
同時スパッタリングによる合金層作製機能
基板ロードロック機構
本装置は，8つの2inchターゲットを備えており，非常に複雑な膜構成のトンネル磁気抵抗効果膜やスピンバルブ膜などを一度に作製することができます．
研究室の自作
到達真空度：1×10-7 Pa
2インチターゲット8台
高周波電源 2台
基板加熱機構（800 ˚C）
Arイオン銃による基板クリーニング機構
同時スパッタリングによる合金層作製機能
基板ロードロック機構